10月12日中午，研究所为庆祝建所十周年举行了全民健身徒步活动。徒步前，大家集体排出了SINANO/2006-2016的字样，纳米真空互联实验站几位博士见了，顿时兴起用高精度设备刻写纳米结构字样的想法。部门正好在验收一台FEI聚焦离子束显微镜，此设备可以通过高聚焦的离子束对样品做纳米加工以及表面成像。想到就做！经过构思、设计以及反复尝试，在丁孙安研究员指导下，纳米级的图形字样产生了：在Si衬底表面由金属Pt沉积而成SINANO，最小线宽120nm；2006-2016用Ga离子束刻蚀而成，最小线宽仅35nm。 

　　在技术上通过和工程师交流，我们了解到可以用设备进行更复杂的图形转移与刻蚀。为了进一步验证设备的性能，以研究所建所十周年宣传照片为模板，利用设备自带的图形发生器，通过控制Ga离子枪在每个像素点的轰击时间，得到深浅不一的纳米孔像素点阵列，每个纳米孔直径在30nm，最终形成了纳米级的像素排列。