7月4日下午，应中科院纳米器件与应用重点实验室邀请，美国密歇根大学梁晓甘教授来纳米所访问，并为我所师生作了题为Fabrication and Characterization of Graphene and MoS2 Nanostructures的精彩学术报告。报告会由重点实验室陆书龙研究员主持。
石墨烯由于特殊的能带结构而受到科学界的广泛关注。梁教授首先介绍了一种新的纳米制备工艺产生石墨烯纳米带结构的方法，用化学刻蚀法替代普通等离子刻蚀法的缺陷，并通过研究发现纳米带宽度的均匀性对器件开关性能的影响较大。接着，梁教授细致地介绍了他在密歇根大学的研究团队在等离子辅助纳米印刷术制备二硫化钼电子器件方面的研究工作。二硫化钼作为一种新型二维电子材料，与零带隙的石墨烯不同，单层结构的二硫化钼是直接带隙材料，多层结构是间接带隙材料，所以具有良好的器件开关性能，如果能克服短隧道效应，其将是一种有广阔应用前景的柔性电子材料。梁教授介绍了他们采用二硫化钼制备的场效应晶体管，以及等离子刻蚀对该种材料掺杂的影响。他们下一步工作将围绕大面积的高质量二硫化钼印刷阵列展开，制备良好开关性能的晶体管阵列，最终利用这种新型材料将制备出整流二极管。
报告结束后，梁晓甘教授与在座科研人员进行了热情交流并回答了相关提问。本次来访得到了中科院纳米器件与应用重点实验室开放课题的支持。
