8月16日下午，瑞典查尔姆斯理工大学(CTH) Wang Shumin教授和Zhao Huan 博士来纳米所进行学术交流活动，并在A718室做了两场题为“Molecular Beam Epitaxy Growth ofGaSbBi and InSbBi ”和“Researches at TML for THz generation and detection”的学术报告。报告由器件部董建荣研究员主持。Wang Shumin教授详细介绍了稀铋III-V半导体（包括GaSbBi，InSbBi等等）的MBE生长、最新结果、相关的问题及展望。Zhao Huan博士则详细介绍了Chalmers大学的太赫兹器件的研究，其中重点介绍了太赫兹混频，倍频器件的研究。

Wang Shumin教授是MBE技术方面的资深专家，是2006年国际MBE会议的程序委员会成员，曾为国际上一些研究机构评估项目和提供咨询，担任Applied Physics Letters, Journal of Crystal Growth, Physical Review B,Journal of Vacuum Science and Technology, Thin Solid Films 及Physica Scripta的审稿人，是IEEE高级会员，SPIE会员，在光通信激光器和大失配半导体材料生长及器件研究方面取得显著成果。